Hissə nömrəsi :
APTMC60TL11CT3AG
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
FET növü :
4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET Feature :
Silicon Carbide (SiC)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
950pF @ 1000V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
SP3