Microsemi Corporation - APTGT200DH120G

KEY Part #: K6533091

APTGT200DH120G Qiymətləndirmə (USD) [819ədəd Stok]

  • 1 pcs$56.74583
  • 100 pcs$54.31085

Hissə nömrəsi:
APTGT200DH120G
İstehsalçı:
Microsemi Corporation
Ətraflı Təsviri:
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - SCRlər and Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor ...
Rəqabətli üstünlük:
Microsemi Corporation APTGT200DH120G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. APTGT200DH120G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. APTGT200DH120G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200DH120G Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : APTGT200DH120G
İstehsalçı : Microsemi Corporation
Təsvir : IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : Trench Field Stop
Konfiqurasiya : Asymmetrical Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 280A
Gücü - Maks : 890W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 350µA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : No
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : SP6
Təchizatçı cihaz paketi : SP6