Infineon Technologies - DDB2U50N08W1RB23BOMA2

KEY Part #: K6534562

DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Qiymətləndirmə (USD) [1387ədəd Stok]

  • 1 pcs$31.21696

Hissə nömrəsi:
DDB2U50N08W1RB23BOMA2
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Diodlar - Zener - Diziler ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies DDB2U50N08W1RB23BOMA2 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DDB2U50N08W1RB23BOMA2 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DDB2U50N08W1RB23BOMA2 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DDB2U50N08W1RB23BOMA2
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
IGBT növü : -
Konfiqurasiya : 2 Independent
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : -
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : -
Gücü - Maks : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : -
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : -
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Giriş : Standard
NTC Termistor : No
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Paket / Case : Module
Təchizatçı cihaz paketi : Module