Hissə nömrəsi :
APTGT75H60T2G
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2
IGBT növü :
Trench Field Stop
Konfiqurasiya :
Full Bridge Inverter
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
600V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 75A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
250µA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
4.62nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
SP2