STMicroelectronics - STD100N10F7

KEY Part #: K6418715

STD100N10F7 Qiymətləndirmə (USD) [74048ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.52804
  • 2,500 pcs$0.46814

Hissə nömrəsi:
STD100N10F7
İstehsalçı:
STMicroelectronics
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N CH 100V 80A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF and Diodlar - Zener - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
STMicroelectronics STD100N10F7 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. STD100N10F7 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. STD100N10F7 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD100N10F7 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : STD100N10F7
İstehsalçı : STMicroelectronics
Təsvir : MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Seriya : DeepGATE™, STripFET™ VII
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4369pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 120W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : DPAK
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63