NXP USA Inc. - SI4410DY,518

KEY Part #: K6415235

[12480ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    SI4410DY,518
    İstehsalçı:
    NXP USA Inc.
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 30V SOT96-1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - Zener - Subay and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar ...
    Rəqabətli üstünlük:
    NXP USA Inc. SI4410DY,518 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI4410DY,518 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI4410DY,518 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4410DY,518 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : SI4410DY,518
    İstehsalçı : NXP USA Inc.
    Təsvir : MOSFET N-CH 30V SOT96-1
    Seriya : TrenchMOS™
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : -
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 5V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : -
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.5W (Ta)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : 8-SO
    Paket / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)