ON Semiconductor - FQD2N100TM

KEY Part #: K6418803

FQD2N100TM Qiymətləndirmə (USD) [155193ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.23833
  • 2,500 pcs$0.22517

Hissə nömrəsi:
FQD2N100TM
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - JFETlər, Güc Sürücü Modulları and Transistorlar - IGBTs - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FQD2N100TM elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FQD2N100TM sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FQD2N100TM üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD2N100TM Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FQD2N100TM
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Seriya : QFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 15.5nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 520pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D-Pak
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63