IXYS - IXFH24N80P

KEY Part #: K6397443

IXFH24N80P Qiymətləndirmə (USD) [10651ədəd Stok]

  • 1 pcs$4.25275
  • 10 pcs$3.82836
  • 100 pcs$3.14788
  • 500 pcs$2.63740

Hissə nömrəsi:
IXFH24N80P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 800V 24A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFH24N80P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFH24N80P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFH24N80P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH24N80P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFH24N80P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
Seriya : HiPerFET™, PolarHT™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 800V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 7200pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 650W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-247AD (IXFH)
Paket / Case : TO-247-3