IXYS - IXFE34N100

KEY Part #: K6401606

IXFE34N100 Qiymətləndirmə (USD) [2618ədəd Stok]

  • 1 pcs$17.36912

Hissə nömrəsi:
IXFE34N100
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Zener - Subay and Güc Sürücü Modulları ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFE34N100 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFE34N100 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFE34N100 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFE34N100 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFE34N100
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
Seriya : HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 455nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 15000pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 580W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-227B
Paket / Case : SOT-227-4, miniBLOC