IXYS - IXFT18N90P

KEY Part #: K6395147

IXFT18N90P Qiymətləndirmə (USD) [10912ədəd Stok]

  • 1 pcs$3.77636
  • 210 pcs$3.74872

Hissə nömrəsi:
IXFT18N90P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 900V 18A TO268.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - RF, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Diodlar - Körpü Düzəldicilər ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFT18N90P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFT18N90P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFT18N90P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT18N90P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFT18N90P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 900V 18A TO268
Seriya : HiPerFET™, PolarP2™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 900V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 97nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 5230pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 540W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-268
Paket / Case : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA