IXYS - IXTT3N200P3HV

KEY Part #: K6394746

IXTT3N200P3HV Qiymətləndirmə (USD) [2527ədəd Stok]

  • 1 pcs$18.85631
  • 10 pcs$17.44232
  • 100 pcs$14.89648

Hissə nömrəsi:
IXTT3N200P3HV
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək and Tiristorlar - TRIACs ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXTT3N200P3HV elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXTT3N200P3HV sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXTT3N200P3HV üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT3N200P3HV Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXTT3N200P3HV
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 2000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1860pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 520W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-268
Paket / Case : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA