Hissə nömrəsi :
VS-GT100TP120N
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Konfiqurasiya :
Half Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 100A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
5mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
12.8nF @ 30V
Əməliyyat temperaturu :
175°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Paket / Case :
INT-A-PAK (3 + 4)
Təchizatçı cihaz paketi :
INT-A-PAK