Infineon Technologies - FS50R07U1E4BPSA1

KEY Part #: K6532677

[1087ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    FS50R07U1E4BPSA1
    İstehsalçı:
    Infineon Technologies
    Ətraflı Təsviri:
    MOD IGBT LOW PWR SMART1-1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Diodlar - RF ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Infineon Technologies FS50R07U1E4BPSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FS50R07U1E4BPSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FS50R07U1E4BPSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS50R07U1E4BPSA1 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : FS50R07U1E4BPSA1
    İstehsalçı : Infineon Technologies
    Təsvir : MOD IGBT LOW PWR SMART1-1
    Seriya : -
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    IGBT növü : Trench Field Stop
    Konfiqurasiya : Full Bridge Inverter
    Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 650V
    Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 75A
    Gücü - Maks : 230W
    Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 50A
    Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 1mA
    Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce : 95pF @ 25V
    Giriş : Standard
    NTC Termistor : Yes
    Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 125°C
    Montaj növü : Chassis Mount
    Paket / Case : Module
    Təchizatçı cihaz paketi : Module

    Maraqlı ola bilərsiniz
    • VS-ETF150Y65N

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

    • CPV363M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • A2C25S12M3-F

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.