Hissə nömrəsi :
SI7464DP-T1-GE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
1.8A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
-
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
1.8W (Ta)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PowerPAK® SO-8
Paket / Case :
PowerPAK® SO-8