Infineon Technologies - IPN50R800CEATMA1

KEY Part #: K6411676

IPN50R800CEATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [342958ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.10785
  • 3,000 pcs$0.08908

Hissə nömrəsi:
IPN50R800CEATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
CONSUMER.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPN50R800CEATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPN50R800CEATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPN50R800CEATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN50R800CEATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPN50R800CEATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : CONSUMER
Seriya : CoolMOS™ CE
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 500V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 7.6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 130µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 12.4nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 280pF @ 100V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 5W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-SOT223
Paket / Case : TO-261-3