IXYS - IXFH16N120P

KEY Part #: K6400918

IXFH16N120P Qiymətləndirmə (USD) [6557ədəd Stok]

  • 1 pcs$7.22307
  • 10 pcs$6.56819
  • 100 pcs$5.58296

Hissə nömrəsi:
IXFH16N120P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Zener - Diziler and Diodlar - Zener - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFH16N120P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFH16N120P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFH16N120P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH16N120P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFH16N120P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
Seriya : HiPerFET™, PolarP2™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 6900pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 660W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-247AD (IXFH)
Paket / Case : TO-247-3