IXYS - IXFN210N20P

KEY Part #: K6397361

IXFN210N20P Qiymətləndirmə (USD) [2686ədəd Stok]

  • 1 pcs$16.92898
  • 10 pcs$15.65954
  • 25 pcs$14.38973
  • 100 pcs$13.37390
  • 250 pcs$12.27352

Hissə nömrəsi:
IXFN210N20P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - RF, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF and Transistorlar - JFETlər ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFN210N20P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFN210N20P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFN210N20P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN210N20P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFN210N20P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
Seriya : HiPerFET™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 188A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 18600pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1070W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-227B
Paket / Case : SOT-227-4, miniBLOC