Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS19-G3-18

KEY Part #: K6458590

BAS19-G3-18 Qiymətləndirmə (USD) [2806764ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.01391
  • 10,000 pcs$0.01384

Hissə nömrəsi:
BAS19-G3-18
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 200mA 50ns 2.5A IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - RF, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division BAS19-G3-18 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BAS19-G3-18 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BAS19-G3-18 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS19-G3-18 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BAS19-G3-18
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Seriya : Automotive, AEC-Q101
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 100V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 200mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.25V @ 200mA
Sürət : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 50ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 100nA @ 100V
Kapasitans @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Təchizatçı cihaz paketi : SOT-23
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode