Samsung Semiconductor - K4A4G165WF-BCTD

KEY Part #: K7359587

[26724ədəd Stok]

Hissə nömrəsi:: K4A4G165WF-BCTD

İstehsalçı:: Samsung Semiconductor

Ətraflı Təsviri:: 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: Anbarda

Raf ömrü:: Bir il

Chip From:: Honq Konq

RoHS:

Ödəniş üsulu:

Göndərmə yolu:

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: SLC Nand, LPDDR3, GDDR6, GDDR5, LPDDR4, HBM Aquabolt, DDR3 and LPDDR4X ...

Rəqabətli üstünlük:: Samsung Semiconductor K4A4G165WF-BCTD elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. K4A4G165WF-BCTD sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. K4A4G165WF-BCTD üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4A4G165WF-BCTD Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : K4A4G165WF-BCTD

İstehsalçı : Samsung Semiconductor

Təsvir : 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production

Seriya : DDR4

sıxlıq : 4 Gb

Org. : 256M x 16

sürət : 2666 Mbps

voltaj : 1.2 V

Temp. : 0 ~ 85 °C

Paket : 96FBGA

Product Status : Mass Production

Son xəbərlər

[Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions

Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards

Samsung Z-SSD SZ985

Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP

Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018

Automotive Driven by Small Packages Under the Hood

High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing

Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere

Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology

Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI

Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology

Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day

Maraqlı ola bilərsiniz

K4A4G085WE-BIRC

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.
K4ABG165WA-MCWE

Samsung Semiconductor

32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.
K4A4G085WE-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BCTD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.
K4A4G165WE-BCWE

Samsung Semiconductor

4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

İsti hissələr

English Azərbaycan