Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. DRAM
  4. DDR4
  5. K4A8G085WC-BITD

Samsung Semiconductor - K4A8G085WC-BITD

KEY Part #: K7359604

[23945ədəd Stok]

    Hissə nömrəsi:
    K4A8G085WC-BITD
    İstehsalçı:
    Samsung Semiconductor
    Ətraflı Təsviri:
    8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: LPDDR5, DDR3, HBM Flarebolt, DDR4, GDDR5, GDDR6, LPDDR4X and SLC Nand ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Samsung Semiconductor K4A8G085WC-BITD elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. K4A8G085WC-BITD sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. K4A8G085WC-BITD üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A8G085WC-BITD Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : K4A8G085WC-BITD
    İstehsalçı : Samsung Semiconductor
    Təsvir : 8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    Seriya : DDR4
    sıxlıq : 8 Gb
    Org. : 1G x 8
    sürət : 2666 Mbps
    voltaj : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paket : 78FBGA
    Product Status : Mass Production

    Son xəbərlər

    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Speed for the next generation of mobile devices
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Maraqlı ola bilərsiniz
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

    İsti hissələr