Samsung Semiconductor - K4A4G085WE-BITD

KEY Part #: K7359580

[20168ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    K4A4G085WE-BITD
    İstehsalçı:
    Samsung Semiconductor
    Ətraflı Təsviri:
    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: DDR3, MODULE, LPDDR4X, LPDDR4, HBM Aquabolt, SLC Nand, LPDDR3 and LPDDR5 ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Samsung Semiconductor K4A4G085WE-BITD elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. K4A4G085WE-BITD sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. K4A4G085WE-BITD üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A4G085WE-BITD Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : K4A4G085WE-BITD
    İstehsalçı : Samsung Semiconductor
    Təsvir : 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
    Seriya : DDR4
    sıxlıq : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    sürət : 2666 Mbps
    voltaj : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paket : 78FBGA
    Product Status : Mass Production

    Maraqlı ola bilərsiniz
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.