Vishay Siliconix - SI7980DP-T1-E3

KEY Part #: K6523966

[3988ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    SI7980DP-T1-E3
    İstehsalçı:
    Vishay Siliconix
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Vishay Siliconix SI7980DP-T1-E3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI7980DP-T1-E3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI7980DP-T1-E3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7980DP-T1-E3 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : SI7980DP-T1-E3
    İstehsalçı : Vishay Siliconix
    Təsvir : MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
    Seriya : TrenchFET®
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET Feature : Standard
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 8A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1010pF @ 10V
    Gücü - Maks : 19.8W, 21.9W
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Paket / Case : PowerPAK® SO-8 Dual
    Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SO-8 Dual