EPC - EPC2107ENGRT

KEY Part #: K6525173

EPC2107ENGRT Qiymətləndirmə (USD) [107742ədəd Stok]

1 pcs$0.37254
5,000 pcs$0.37069

Hissə nömrəsi:: EPC2107ENGRT

İstehsalçı:: EPC

Ətraflı Təsviri:: GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE.

Manufacturer's standard lead time:: Anbarda

Raf ömrü:: Bir il

Chip From:: Honq Konq

RoHS:

Ödəniş üsulu:

Göndərmə yolu:

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF and Diodlar - Körpü Düzəldicilər ...

Rəqabətli üstünlük:: EPC EPC2107ENGRT elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. EPC2107ENGRT sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. EPC2107ENGRT üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

EPC2107ENGRT Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : EPC2107ENGRT

İstehsalçı : EPC

Təsvir : GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE

Seriya : eGaN®

Hissə Vəziyyəti : Active

FET növü : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

FET Feature : GaNFET (Gallium Nitride)

Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V

Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 16pF @ 50V, 7pF @ 50V

Gücü - Maks : -

Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü : Surface Mount

Paket / Case : 9-VFBGA

Təchizatçı cihaz paketi : 9-BGA (1.35x1.35)

Maraqlı ola bilərsiniz

SI1926DL-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.
FDY1002PZ

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.
IRF7509TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.
SI6913DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.
DMN2016UTS-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.
SP8J5TB

Rohm Semiconductor

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.

English Azərbaycan