Vishay Siliconix - SUM50020E-GE3

KEY Part #: K6418094

SUM50020E-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [51409ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.76058

Hissə nömrəsi:
SUM50020E-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SUM50020E-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SUM50020E-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SUM50020E-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUM50020E-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SUM50020E-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 128nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 11150pF @ 30V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 375W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263 (D²Pak)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB