Hissə nömrəsi :
IXFH12N100P
Təsvir :
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Seriya :
HiPerFET™, PolarP2™
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
4080pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
463W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-247AD (IXFH)