IXYS - IXTA3N100P

KEY Part #: K6394640

IXTA3N100P Qiymətləndirmə (USD) [35224ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.35227
  • 50 pcs$1.34555

Hissə nömrəsi:
IXTA3N100P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək and Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXTA3N100P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXTA3N100P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXTA3N100P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA3N100P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXTA3N100P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
Seriya : PolarVHV™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1000V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1100pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 125W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263 (IXTA)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB