Hissə nömrəsi :
VS-GT400TH120N
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Konfiqurasiya :
Half Bridge
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
600A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 400A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
5mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
28.8nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Paket / Case :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Təchizatçı cihaz paketi :
Double INT-A-PAK