BYM36E-TAP Qiymətləndirmə (USD) [247410ədəd Stok]
- 1 pcs$0.15025
- 12,500 pcs$0.14950
- Hissə nömrəsi:
- BYM36E-TAP
- İstehsalçı:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE AVALANCHE 1KV 2.9A SOD64. Rectifiers 1000 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - RF, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Vishay Semiconductor Diodes Division BYM36E-TAP elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BYM36E-TAP sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BYM36E-TAP üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
BYM36E-TAP Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
BYM36E-TAP
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE AVALANCHE 1KV 2.9A SOD64
Seriya :
-
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Avalanche
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
1000V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
2.9A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.78V @ 3A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
150ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapasitans @ Vr, F :
-
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
SOD-64, Axial
Təchizatçı cihaz paketi :
SOD-64
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 175°C
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
-
BYM11-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
İsti hissələr
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置