Samsung Semiconductor - K4F8E3S4HB-MHCJ

KEY Part #: K7359770

[16747ədəd Stok]

Hissə nömrəsi:: K4F8E3S4HB-MHCJ

İstehsalçı:: Samsung Semiconductor

Ətraflı Təsviri:: 8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: Anbarda

Raf ömrü:: Bir il

Chip From:: Honq Konq

RoHS:

Ödəniş üsulu:

Göndərmə yolu:

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: LPDDR4X, DDR3, LPDDR5, DDR4, HBM Aquabolt, HBM Flarebolt, LPDDR3 and GDDR5 ...

Rəqabətli üstünlük:: Samsung Semiconductor K4F8E3S4HB-MHCJ elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. K4F8E3S4HB-MHCJ sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. K4F8E3S4HB-MHCJ üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4F8E3S4HB-MHCJ Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : K4F8E3S4HB-MHCJ

İstehsalçı : Samsung Semiconductor

Təsvir : 8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Seriya : DDR3

sıxlıq : 8 Gb

Org. : x32

sürət : 3733 Mbps

voltaj : 1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temp. : -40 ~ 105 °C

Paket : 200FBGA

Product Status : Mass Production

Son xəbərlər

An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC

Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP

[Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions

Samsung Z-SSD SZ985

[Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.

Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones

Samsung Memory Solutions for Automotive

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification

How Will 5G Impact on Memory?

Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing

Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering

Maraqlı ola bilərsiniz

M392A2K43BB0-CPB

Samsung Semiconductor

DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.
M392A2K43BB0-CRC

Samsung Semiconductor

DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.
M392A4K40BM0-CPB

Samsung Semiconductor

DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.
M392A4K40BM0-CRC

Samsung Semiconductor

DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.
M378A1K43BB1-CPB

Samsung Semiconductor

DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
M378A1K43BB2-CRC

Samsung Semiconductor

DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

İsti hissələr

English Azərbaycan