Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. DRAM
  4. LPDDR4
  5. K4FHE3D4HM-MFCJ

Samsung Semiconductor - K4FHE3D4HM-MFCJ

KEY Part #: K7359780

[24245ədəd Stok]

    Hissə nömrəsi:
    K4FHE3D4HM-MFCJ
    İstehsalçı:
    Samsung Semiconductor
    Ətraflı Təsviri:
    24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: MODULE, LPDDR4, LPDDR5, LPDDR3, GDDR5, SLC Nand, HBM Aquabolt and HBM Flarebolt ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Samsung Semiconductor K4FHE3D4HM-MFCJ elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. K4FHE3D4HM-MFCJ sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. K4FHE3D4HM-MFCJ üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4FHE3D4HM-MFCJ Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : K4FHE3D4HM-MFCJ
    İstehsalçı : Samsung Semiconductor
    Təsvir : 24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
    Seriya : DDR3
    sıxlıq : 24 Gb
    Org. : x32
    sürət : 3733 Mbps
    voltaj : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Paket : 200FBGA
    Product Status : Mass Production

    Son xəbərlər

    The future of NAND technology
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Maraqlı ola bilərsiniz
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    İsti hissələr