Diodes Incorporated - DMN2014LHAB-7

KEY Part #: K6523167

DMN2014LHAB-7 Qiymətləndirmə (USD) [437547ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.08453
  • 3,000 pcs$0.06662

Hissə nömrəsi:
DMN2014LHAB-7
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - RF, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Zener - Subay, Tiristorlar - TRIACs and Tiristorlar - SCRlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMN2014LHAB-7 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMN2014LHAB-7 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMN2014LHAB-7 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2014LHAB-7 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMN2014LHAB-7
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Logic Level Gate
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1550pF @ 10V
Gücü - Maks : 800mW
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 6-UFDFN Exposed Pad
Təchizatçı cihaz paketi : U-DFN2030-6 (Type B)