Infineon Technologies - IRFH7911TR2PBF

KEY Part #: K6524120

[3937ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    IRFH7911TR2PBF
    İstehsalçı:
    Infineon Technologies
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - JFETlər, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Infineon Technologies IRFH7911TR2PBF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRFH7911TR2PBF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRFH7911TR2PBF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFH7911TR2PBF Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : IRFH7911TR2PBF
    İstehsalçı : Infineon Technologies
    Təsvir : MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
    Seriya : HEXFET®
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : 2 N-Channel (Dual)
    FET Feature : Logic Level Gate
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 13A, 28A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 12A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1060pF @ 15V
    Gücü - Maks : 2.4W, 3.4W
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Paket / Case : 18-PowerVQFN
    Təchizatçı cihaz paketi : PQFN (5x6)