Taiwan Semiconductor Corporation - S1JR3

KEY Part #: K6458586

S1JR3 Qiymətləndirmə (USD) [2750629ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.01345

Hissə nömrəsi:
S1JR3
İstehsalçı:
Taiwan Semiconductor Corporation
Ətraflı Təsviri:
1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor and Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Taiwan Semiconductor Corporation S1JR3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. S1JR3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. S1JR3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1JR3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : S1JR3
İstehsalçı : Taiwan Semiconductor Corporation
Təsvir : 1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.1V @ 1A
Sürət : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 1.5µs
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 1µA @ 600V
Kapasitans @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-214AC, SMA
Təchizatçı cihaz paketi : DO-214AC (SMA)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 175°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode