Vishay Siliconix - SI2356DS-T1-GE3

KEY Part #: K6419498

SI2356DS-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [737724ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.05014
  • 3,000 pcs$0.04752

Hissə nömrəsi:
SI2356DS-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Zener - Diziler and Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI2356DS-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI2356DS-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI2356DS-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2356DS-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI2356DS-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 40V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 4.3A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 51 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±12V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 370pF @ 20V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-236
Paket / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Maraqlı ola bilərsiniz