IXYS - IXFT16N120P

KEY Part #: K6395054

IXFT16N120P Qiymətləndirmə (USD) [7020ədəd Stok]

  • 1 pcs$6.78440
  • 30 pcs$6.75064

Hissə nömrəsi:
IXFT16N120P
İstehsalçı:
IXYS
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - IGBTs - Subay and Transistorlar - JFETlər ...
Rəqabətli üstünlük:
IXYS IXFT16N120P elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IXFT16N120P sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IXFT16N120P üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT16N120P Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IXFT16N120P
İstehsalçı : IXYS
Təsvir : MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Seriya : HiPerFET™, PolarP2™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 6900pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 660W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-268
Paket / Case : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA