Hissə nömrəsi :
DTDG14GPT100
İstehsalçı :
Rohm Semiconductor
Təsvir :
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
Transistor tipi :
NPN - Pre-Biased
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
1A
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
60V
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
10 kOhms
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
300 @ 500mA, 2V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
400mV @ 5mA, 500mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
500nA (ICBO)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
MPT3