Hissə nömrəsi :
FJV4113RMTF
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Transistor tipi :
PNP - Pre-Biased
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
100mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
50V
Rezistor - Baza (R1) :
2.2 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
47 kOhms
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
68 @ 5mA, 5V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
100nA (ICBO)
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Təchizatçı cihaz paketi :
SOT-23-3 (TO-236)