Vishay Siliconix - SI8425DB-T1-E1

KEY Part #: K6421143

SI8425DB-T1-E1 Qiymətləndirmə (USD) [367832ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.10056
  • 3,000 pcs$0.09462

Hissə nömrəsi:
SI8425DB-T1-E1
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Zener - Diziler, Diodlar - RF, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI8425DB-T1-E1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI8425DB-T1-E1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI8425DB-T1-E1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8425DB-T1-E1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI8425DB-T1-E1
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : -
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2800pF @ 10V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 4-WLCSP (1.6x1.6)
Paket / Case : 4-UFBGA, WLCSP