Vishay Siliconix - SI7913DN-T1-GE3

KEY Part #: K6522080

SI7913DN-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [111328ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.33224
  • 3,000 pcs$0.31128

Hissə nömrəsi:
SI7913DN-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - JFETlər, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Zener - Diziler, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - RF and Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SI7913DN-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI7913DN-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI7913DN-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7913DN-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SI7913DN-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
Seriya : TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : 2 P-Channel (Dual)
FET Feature : Logic Level Gate
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 4.5V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : -
Gücü - Maks : 1.3W
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : PowerPAK® 1212-8 Dual
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® 1212-8 Dual