Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. AS4C32M16D3-12BCN

Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16D3-12BCN

KEY Part #: K940236

AS4C32M16D3-12BCN Qiymətləndirmə (USD) [28644ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.59974
Hissə nömrəsi:
AS4C32M16D3-12BCN
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA. DRAM 512M 1.5V 800Mhz 32M x 16 DDR3
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Daxili - Çip On Sistem (SoC), PMIC - Enerji ölçmə, PMIC - Termal İdarəetmə, Məntiq - Paritet Yaradanlar və Dama, Məlumatların əldə edilməsi - Rəqəmsal Potensiometr, İnterfeys - Telekom, Xüsusi IC and PMIC - Batareya doldurucuları ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D3-12BCN elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS4C32M16D3-12BCN sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS4C32M16D3-12BCN üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16D3-12BCN Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS4C32M16D3-12BCN
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - DDR3
Yaddaş ölçüsü : 512Mb (32M x 16)
Saat tezliyi : 800MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : -
Giriş vaxtı : 20ns
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.425V ~ 1.575V
Əməliyyat temperaturu : 0°C ~ 95°C (TC)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 96-VFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 96-FBGA (8x13)

Son xəbərlər

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Maraqlı ola bilərsiniz
  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • W94AD2KBJX5E TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R

  • W632GG8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GG8MB-11

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

  • W632GU8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GU8MB-12

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,

İsti hissələr