Winbond Electronics - W632GU8MB-12

KEY Part #: K940229

Ətraflı Təsviri:: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Xüsusi IC, PMIC - Lazer Sürücüləri, Saat / Zamanlama - Real vaxt saatları, Yaddaş - Batareyalar, İnterfeys - Nəzarətçilər, Məntiq - Qapılar və İnverterlər, Saat / Zamanlama - Proqramlaşdırılan Taymerlər və and PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - Xətti ...

Rəqabətli üstünlük:: Winbond Electronics W632GU8MB-12 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. W632GU8MB-12 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. W632GU8MB-12 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

Hissə nömrəsi : W632GU8MB-12

İstehsalçı : Winbond Electronics

Təsvir : IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Seriya : -

Hissə Vəziyyəti : Active

Yaddaş növü : Volatile

Yaddaş formatı : DRAM

Texnologiya : SDRAM - DDR3

Yaddaş ölçüsü : 2Gb (128M x 16)

Saat tezliyi : 800MHz

Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : -

Giriş vaxtı : 20ns

Yaddaş interfeysi : Parallel

Gərginlik - Təchizat : 1.283V ~ 1.45V

Əməliyyat temperaturu : 0°C ~ 95°C (TC)

Montaj növü : Surface Mount

Paket / Case : 78-VFBGA

Təchizatçı cihaz paketi : 78-VFBGA (8x10.5)

Maraqlı ola bilərsiniz

CY7C199D-25SXET

Cypress Semiconductor Corp

IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs
W94AD2KBJX5I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R
W94AD2KBJX5E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R
W632GG8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz
W632GG8MB-11

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz
W632GU8MB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz