Taiwan Semiconductor Corporation - TSM089N08LCR RLG

KEY Part #: K6403631

TSM089N08LCR RLG Qiymətləndirmə (USD) [167085ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.22137

Hissə nömrəsi:
TSM089N08LCR RLG
İstehsalçı:
Taiwan Semiconductor Corporation
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl and Transistorlar - Xüsusi Məqsəd ...
Rəqabətli üstünlük:
Taiwan Semiconductor Corporation TSM089N08LCR RLG elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. TSM089N08LCR RLG sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. TSM089N08LCR RLG üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM089N08LCR RLG Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : TSM089N08LCR RLG
İstehsalçı : Taiwan Semiconductor Corporation
Təsvir : MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 80V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 67A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 6119pF @ 40V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 83W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 8-PDFN (5x6)
Paket / Case : 8-PowerTDFN