ON Semiconductor - FDD10N20LZTM

KEY Part #: K6403560

FDD10N20LZTM Qiymətləndirmə (USD) [257272ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.14377
  • 2,500 pcs$0.13058

Hissə nömrəsi:
FDD10N20LZTM
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - RF, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Zener - Subay, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Diodlar - Zener - Diziler and Transistorlar - JFETlər ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor FDD10N20LZTM elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. FDD10N20LZTM sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. FDD10N20LZTM üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD10N20LZTM Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : FDD10N20LZTM
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
Seriya : UniFET™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 7.6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 585pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 83W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : DPAK
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63