ON Semiconductor - NTD4979N-35G

KEY Part #: K6393949

NTD4979N-35G Qiymətləndirmə (USD) [357223ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.10354
  • 2,175 pcs$0.09441

Hissə nömrəsi:
NTD4979N-35G
İstehsalçı:
ON Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - RF, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- and Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar ...
Rəqabətli üstünlük:
ON Semiconductor NTD4979N-35G elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. NTD4979N-35G sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. NTD4979N-35G üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTD4979N-35G Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : NTD4979N-35G
İstehsalçı : ON Semiconductor
Təsvir : MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 9.4A (Ta), 41A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 837pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : I-PAK
Paket / Case : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Maraqlı ola bilərsiniz