Vishay Siliconix - SIHFR1N60ATR-GE3

KEY Part #: K6420811

SIHFR1N60ATR-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [261758ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.14130

Hissə nömrəsi:
SIHFR1N60ATR-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIHFR1N60ATR-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIHFR1N60ATR-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIHFR1N60ATR-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHFR1N60ATR-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIHFR1N60ATR-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 229pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 36W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D-PAK (TO-252AA)
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63