Toshiba Semiconductor and Storage - RN1112ACT(TPL3)

KEY Part #: K6527845

[2696ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    RN1112ACT(TPL3)
    İstehsalçı:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Ətraflı Təsviri:
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Toshiba Semiconductor and Storage RN1112ACT(TPL3) elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. RN1112ACT(TPL3) sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. RN1112ACT(TPL3) üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1112ACT(TPL3) Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : RN1112ACT(TPL3)
    İstehsalçı : Toshiba Semiconductor and Storage
    Təsvir : TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
    Seriya : -
    Hissə Vəziyyəti : Active
    Transistor tipi : NPN - Pre-Biased
    Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 80mA
    Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 50V
    Rezistor - Baza (R1) : 22 kOhms
    Rezistor - Emitter bazası (R2) : -
    DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
    Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic : 150mV @ 250µA, 5mA
    Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 100nA (ICBO)
    Tezlik - Keçid : -
    Gücü - Maks : 100mW
    Montaj növü : Surface Mount
    Paket / Case : SC-101, SOT-883
    Təchizatçı cihaz paketi : CST3