Hissə nömrəsi :
RN1112ACT(TPL3)
İstehsalçı :
Toshiba Semiconductor and Storage
Təsvir :
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Transistor tipi :
NPN - Pre-Biased
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
80mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
50V
Rezistor - Baza (R1) :
22 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
-
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
150mV @ 250µA, 5mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
100nA (ICBO)
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
SC-101, SOT-883
Təchizatçı cihaz paketi :
CST3