Hissə nömrəsi :
PDTD123YS,126
İstehsalçı :
NXP USA Inc.
Təsvir :
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Transistor tipi :
NPN - Pre-Biased
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
500mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
50V
Rezistor - Baza (R1) :
2.2 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
10 kOhms
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 50mA, 5V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
500nA
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-92-3