Vishay Siliconix - SIS903DN-T1-GE3

KEY Part #: K6525335

SIS903DN-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [201147ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.18388

Hissə nömrəsi:
SIS903DN-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIS903DN-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIS903DN-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS903DN-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIS903DN-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Seriya : TrenchFET® Gen III
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : 2 P-Channel (Dual)
FET Feature : Standard
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2565pF @ 10V
Gücü - Maks : 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : PowerPAK® 1212-8 Dual
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® 1212-8 Dual