Vishay Siliconix - SIA446DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6421057

SIA446DJ-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [340585ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.10860
  • 3,000 pcs$0.10219

Hissə nömrəsi:
SIA446DJ-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər and Transistorlar - JFETlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIA446DJ-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIA446DJ-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIA446DJ-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA446DJ-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIA446DJ-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L
Seriya : ThunderFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 150V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 7.7A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 177 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 230pF @ 75V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Case : PowerPAK® SC-70-6