Hissə nömrəsi :
US1JHE3/5AT
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.7V @ 1A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
75ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
10µA @ 600V
Kapasitans @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
DO-214AC, SMA
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-214AC (SMA)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-55°C ~ 150°C